ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ПОСТОЯННОГО НАПРЯЖЕНИЯ НА МИКРОСХЕМЕ КР1211ЕУ1
Рабочая частота задающего генератора интегральной микросхемы зависит от параметров времязадающей цепи R1C1и находится по формуле: Ток, протекающий через резистор R1, заряжает конденсатор С1. Когда напряжение на конденсаторе достигает значения порядка 2/3Uпит открывается шунтирующий его внутренний ключ интегральной микросхемы, в результате чего конденсатор С1 разряжается. Импульсы пилообразной формы fT соответствуют напряжению заряда конденсатора. Затем цикл повторяется снова. Предельная частота работы интегральной микросхемы 5 МГц.
Микросхема имеет входы FC и FV, которые используются для построения различных схем защиты. При подаче на вход FV высокого уровня выходы Q1 и Q2блокируются и переходят в состояние низкого уровня на все время действия импульса на входе FV. При подаче на вход FC высокого уровня выходы Q1и Q2 блокируются до тех пор, пока на вход IN не будет подан кратковременный низкий уровень. На основе данной интегральной микросхемы можно построить мощный преобразователь постоянного напряжения в переменное (рис. 7.36) на довольный широкий диапазон частот от нескольких герц до нескольких сот килогерц. Выходная мощность такого преобразователя зависит от мощности выходных транзисторов и мощности выходного трансформатора. В качестве выходных транзистором можно использовать как биполярные транзисторы n-p-n-типа, та и полевые транзисторы. Микросхема DA1 с конденсаторами С4 и С5 интегральный стабилизатор напряжения на микросхеме КР142ЕН5А. При включении вместо биполярный транзисторов полевых транзисторов резисторы R2 и R3 не нужны и затворы полевых транзисторов подключаются непосредственно к выходам Q1 и Q2.
Схема преобразователя напряжения отличается исключительной простотой и возможность получения значительных выходных мощностей. Пауза при переходе кривой напряжения с положительного знака на отрицательный и обратной не является резкой, что позволяет получить небольшие ЭДС самоиндукции при питания индуктивной нагрузке и приблизить питание нагрузки к синусоидальному напряжению.
©2015 arhivinfo.ru Все права принадлежат авторам размещенных материалов.
|