Здавалка
Главная | Обратная связь

Конденсаторы К 53-14



 
 

 

 

Рисунок П..3Зависимость допустимой амплитуды напряжения переменной составляющей пульсирующего тока от частоты: 1) (0,1…10) мкФ ´ 6,3 В; (0,1…6,8) мкФ ´ 10 В; 2) (0,068… 4,7) мкФ ´ 16 В; (0,047 …3,3) мкФ ´ 20 В; (15 …100) мкФ ´ 6,3 В; (10… 33) мкФ ´ 10 В; 3) (0,033 …3,3) мкФ ´ 30 В;

(6,8 …2,2) мкФ ´ 16 В; (4,7… 22) мкФ ´ 20 В; 4) (4,7… 15) мкФ ´ 30 В.

 

Конденсаторы К 53-22

 
 

 

 

Рисунок П.4 - Зависимость допустимой амплитуды напряжения импульсного тока от частоты и длительности фронтов, номинальной емкости и номинального напряжения (UН=1,4 В при СН=6,8 мкФ, Uн = 6,3 В. f = 103 Гц, τф = 10 - 4 с).

Таблица П.7

Транзисторы биполярные переключательные

С рассеиваемой мощностью более 1.5 Вт

Принятые обозначения:

Iк– максимально допустимый постоянный ток коллектора;

Iк макс импмаксимально допустимый импульсный ток коллектора;

Uкэ макс максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер;

U кэ нас– напряжение насыщения коллектор-эмиттер;

h21 – статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером;

ti– время: Р – рассасывания, В – включения. Ы – выключения,

С –спада импульса.

 

Тип транзистора Тип проводимости Iк (Iк макс имп), А Uкэ макс, (Uкэ нас ), В Pк макс , Вт h21 ti, мкС
2Т506А n-p-n 2(5) 800(0,6) 30…150 2,5P
2T506Б n-p-n 2(5) 600(0,6) 30…150 3,5P
2T812A n-p-n 10(17) 700(2,5) 5…30 1,3C
2T812Б n-p-n 10(17) 500(2,5) 5…30 1,3C
2T818A p-n-p 15(20) 100(1) 2,5Ы
2T818Б p-n-p 15(20) 80(1) 2,5Ы
2Т818В p-n-p 15(20) 60(1) 2,5Ы
2Т819А n-p-n 15(20) 100(1) 2,5Ы
2Т819Б n-p-n 15(20) 80(1) 2,5Ы
2Т819В n-p-n 15(20) 60(1) 2,5Ы
2Т827А n-p-n 20(40) 100(2) 750…18000 4,5Ы
2Т827Б n-p-n 20(40) 80(2) 750…18000 4,5Ы
2Т827В n-p-n 20(40) 60(2) 750…18000 4,5Ы
2Т830А p-n-p 2(4) 30(0,6) 25…55 0,8В
2Т830Б p-n-p 2(4) 50(0,6) 25…55 0,8В
2Т830В p-n-p 2(4) 70(0,6) 25…55 0,8В
2Т830Г p-n-p 2(4) 90(0,6) 20…50 0,8В
2Т831А n-p-n 2(4) 30(0,6) 25…200 0,8В
2Т831Б n-p-n 2(4) 50(0,6) 25…200 0,8В
2Т831В n-p-n 2(4) 70(0,6) 25…200 0,8В
2Т831Г n-p-n 2(4) 90(0,6) 20…150 0,8В
2Т841А n-p-n 10(15) 600(1,5) 12…45 1,2Р
2Т841Б n-p-n 10(15) 400(1,5) 12…45 1,2Р
2Т847А n-p-n 15(25) 650(1,5) 8…25 0,8С

Продолжение таблицы П.7

 

 

Тип транзистора Тип проводимости Iк (Iк макс имп), А Uкэ макс, (Uкэ нас ), В Pк макс , Вт h21 ti, мкС
2Т847Б n-p-n 15(25) 650(1,5)
2Т848А n-p-n 400(2) fгр=3МГц
2Т856А n-p-n 10(12) 950(1,5) 10…30
2Т856Б n-p-n 10(12) 750(1,5) 10…60
2Т862А n-p-n 15(30) 250(2) 10…100
2Т862Б n-p-n 15(25) 250(2) 10…100
2Т862В n-p-n 10(15) 350(1,5) 12…50
2Т862Г n-p-n 10(15) 400(1,5) 12…50
2Т866А n-p-n 20(20) 160(1,5) 15…100 0,1С
2Т867А n-p-n 25(40) 300(1,2) 12…100 1,3Р
2Т878А n-p-n 25(30) 800(1,5) 12…50 2,5Р
2Т878Б n-p-n 25(30) 800(1,5) 12…50 2,5Р
2Т878В n-p-n 25(30) 600(1,5) 12…50 2,5Р
2Т885А n-p-n 40(60) 400(2,2)
2Т885Б n-p-n 40(60) 500(2,5)
2Т887А p-n-p 2(5) 700(1,4) 20…120 (0,7…5) Р
2Т887Б p-n-p 2(5) 600(1,4) 20…120 (0,7…5) Р
2Т888А p-n-p 0,1(0,2) 900(1) 30…120 1,5Р
2Т888Б p-n-p 0,1(0,2) 600(1) 30…120 1,5Р
2Т892А n-p-n 15(30) 400(1,8)
2Т892Б n-p-n 15(30) 350(1,8)

 

Таблица П.8

 

Параметры полевых переключательных транзисторов

С рассеиваемой мощностью более 2 Вт

Принятые обозначения:

Uск максмаксимально допустимое постоянное напряжение сток-исток;

Iс максток стока;

Rси открсопротивление сток-исток в открытом состоянии;

Рмаксмаксимально допустимая мощность рассеивания.

 

 

Тип прибора Тип проводимости Uси , В Iс макс, А Rсн откр, Ом Рмакс, Вт
2П701А n 5…17 3,5 17,5
2П701Б n 2,8
КП702А n 8…16 17,5
2П703А n 12…25 1,1
2П703Б n 0,9
КП704А n 0,35
КП704Б n 0,5
КП705А n 5,4 4,3  
КП705Б n 5,4 3,3
КП705В n 5,4 3,3
2КП706А n   0,8  
2П706Б n 0,5
2П706В n 0,65
КП707А n  
КП707Б n
КП707В n
КП707Г n 2,5
КП707Д n 1,5
КП707Е n 5,0
КП709А n
КП709Б n 2,5
2П802А СИТ 2,5
2П803А n 2,6
2П803Б n 4,5
2П804 n 0,45
КП805А n 2,0
КП805Б n 2,5
КП805В n 2,0
КП809А n 0,3    
КП809Б n 0,6
КП809В n 1,2
КП809Г n 1,5
КП809Д n 1,8
КП809Е n 2,5






©2015 arhivinfo.ru Все права принадлежат авторам размещенных материалов.