 |
|
Дослідження статичних характеристик біполярного транзистора
 |
1. Зібрати схему експериментальної установки для дослідження статичних характеристик біполярного транзистора (рис.7). Перевірити її працездатність. В якості вольтметрів В1 та В2 використати електронні вольтметри В7-26. В якості амперметрів А1 та А2 використати вмонтовані в лабораторний пристрій К4822-2 комбіновані електровимірювальні пристрої. Встановити вольтметр В1 на діапазон вимірювання постійної напруги 1 В, вольтметр В2 – на діапазон 10 В. Встановити амперметр А1 на діапазон вимірювання постійного струму 1 мА, амперметр А2 – на діапазон 100 мА.
2. Зняти вхідні характеристики транзистора IБ=f(UЕБ) при трьох фіксованих напругах на колекторі UЕК. Напруга UЕБ регулюється змінним опором R2 і контролюється вольтметром В1. Струм бази вимірюється амперметром А1. Напруга UЕК задається змінним опором R3 і контролюється вольтметром В2. Дані занести в таблицю 1.
Таблиця 1
| UEБ, В | 0,30 | 0,50 | 0,55 | 0,60 | 0,65 | 0,70 | 0,75 | 0,80 | ||
| UEК=0 | IБ, мА | |||||||||
| UEК=2В | IБ, мА | |||||||||
| UEК=4В | IБ, мА |
3. Зняти вихідні характеристики біполярного транзистора IК=f(UЕК)при трьох фіксованих струмах бази IБ(0,1; 0,2; 0,3 мА). Дані занести в таблицю 2.
Таблиця 2
| UEК, В | ||||||||||
| IБ=0,1мА | IК, мА | |||||||||
| IБ=0,2мА | IК, мА | |||||||||
| IБ=0,3мА | IК, мА |
4. За отриманими результатами побудувати сімейства вхідних та вихідних характеристик транзистора. Визначити коефіцієнт передачі струму бази у схемі зі спільним емітером h21Е та визначити вхідний rвх=DUЕБ/DIБ та вихідний rвих=DUЕК/DIК диференціальні опори.
5. Зробити висновки.
2. Визначення характеристик транзистора на ПК
1. Синтезувати схему для досліджень характеристик транзистора на персональному комп¢ютері, використовуючи пакет прикладних програм WORKBENCH або PCAD.
2. Зняти характеристику передачі за струмом 
та характеристику зворотнього зв¢язку 
промислового транзистора.
3. Зробити висновки.
Література
1. Ефимчик М.К., Шушкевич С.С. Основы радиоэлектроники. Для физ. спец. ун-тов. Мн.:Изд."Университетское". - 1986. - 303 с.
2. Манаев Е.И. Основы радиоэлектроники. Учебное пособие для вузов. М.: Радио и связь. - 1985. - 488 с.
3. В.С.Руденко и др. Основы промышленной электроники. К.: Выща школа. Головное издательство. - 1985. - 400 с.
4. Бессонов А.С. Теоретические основы электротехники . М.: Радио и связь. - 1983. - 450 с.
5. В.А. Скаржепа, А.Н.Луценко. Электроника и микросхемотехника. Часть I. К.: Выща школа. - 1989. - 431 с.
6. Г.И.Пухальский, Т.Я.Новосельцева. Проектирование дискретных устройств на интегральных микросхемах. М.: Радио и связь. - 1990. - 304 с.
Примітки
Кедюлич В.М., Гуранич П.П., Герзанич О.І.
Електричні кола. Лаборатоний практикум з курсу „Основи радіоелектроніки”.
Видавництво Ужгородського університету. Здано в набір 1.09.03. Підп. до друку 5.09.03. Формат 14X20. Обєм 5 ум.арк. Тираж 100 прим.
| |