 |
|
БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
Определение "биполярный" указывает на то, что работа транзистора связана с процессами, в которых принимают участие носители заряда двух типов - электроны и дырки.
Биполярный транзистор представляет собой пластину полупроводника с тремя чередующимися областями разной электропроводности (рис. 1), которые образуют два р - n перехода. У каждой области свой контактный вывод. Если в крайних областях преобладает дырочная электропроводность, а в средней электронная (рис. 1, а), то такой прибор называют транзистором структуры p - n - р. У транзистора структуры n - p - n, наоборот, по краям расположены области с электронной электропроводностью, а между ними - область с дырочной электропроводностью (рис. 1, б).
 |
а б
Рис. 1 Схематическое устройство и графическое обозначение на схемах транзисторов структуры p-n-p и n-p-n.
Общую (среднюю) область транзистора называют базой, одну крайнюю область - эмиттером, вторую крайнюю область - коллектором. Это три электрода транзистора.
Существуют сплавной и диффузионно - сплавной способы изготовления транзисторов.
Схематическое устройство и конструкция сплавного транзистора показана на (рис. 2). Прибор собран на металлическом диске диаметром менее 10 мм. Сверху к этому диску приварен кристаллодержатель, являющийся внутренним выводом базы, а снизу - ее наружный проволочный вывод. Внутренние выводы коллектора и эмиттера приварены к проволочкам, которые впаяны в стеклянные изоляторы и служат внешними выводами этих электродов. Цельнометаллический колпак защищает прибор от механических повреждений и влияния света.
Рис. 2 Устройство и конструкция сплавного транзистора
структуры p - n - p.
Коллектором диффузионно - сплавного транзистора служит пластина исходного полупроводника. На поверхность пластины наплавляют очень близко один от другого два маленьких шарика примесных элементов. Во время нагрева до строго определенной температуры происходит диффузия примесных элементов в пластинку полупроводника. При этом один шарик (на рис. 3 - правый) образует в коллекторе тонкую базовую область, а второй (на рис. 3 - левый) эмиттерную область. В результате в пластине исходного полупроводника получаются два р - n перехода, образующие транзистор структуры р - n - р.
Рис. 3 Устройство и конструкция
диффузионно – сплавного транзистора структуры p - n - p.