МДП-транзистор со встроенным каналом
В МДП-транзисторе со встроенным каналом n-типа исходным материалом является кремниевая пластина p-типа (рис. 6.12, а), называемая подложкой. В этой пластине создают области n+-типа с большой концентрацией примесей, образующие сток и исток, а между ними – тонкий слой n-типа с малой концентрацией примесей, являющийся токопроводящим каналом. На поверхности пластины создается тонкая пленка Металлические выводы создаются от областей стока, истока, затвора и в некоторых случаях от подложки. Чаще всего вывод от подложки электрически соединяют с истоком внутри корпуса транзистора. Условные графические и позиционные обозначения МДП-транзисторов со встроенным каналом приведены на рис. 6.12, б-д. Принцип действия МДП-транзистора со встроенным каналом состоит в проводимости канала под действием поперечного электрического поля, создаваемого напряжением на затворе При Вид стоковой характеристики При подаче на затвор отрицательного напряжения
Рис. 6.12. Структура полевого транзистора с изолированным затвором и встроенным каналом n-типа (а); условное графическое и позиционное обозначения транзистора со встроенным каналом n-типа (б) и p-типа (в), с каналом n-типа и выводом от подложки (г), с каналом p-типа и выводом от подложки (д), е – схема простейшего усилителя на МДП-транзисторе
При подаче на затвор положительного напряжения При работе транзистора в области насыщения его сток-затворная характеристика близка к линейной как в режиме обеднения канала основными носителями, так и в режиме обогащения (рис. 6.13, б). Это позволяет не использовать источник ЭДС смещения в цепи затвора при построении усилительного каскада на МДП-транзисторе этого типа (рис. 6.12, е).
Рис. 6.13. Семейство стоковых характеристик (а) и сток-затворных характеристик (б) МДП-транзистора со встроенным каналом n-типа
©2015 arhivinfo.ru Все права принадлежат авторам размещенных материалов.
|