Емкость запоминающего устройства
❒Эксперимент 1: Повышение емкости запоминающего устройства
Путем программированного управления светодиодов должен непрерывно создаваться представленный в таблице 11.2.3.1 световой образец. Ход работы: · Световой образец охватывает шестнадцать двоичных разрядов, из которых не все могут быть сохранены в одном модуле запоминающего устройства. Поэтому необходимо разделение сохраняемой информации: двоичный разряд 0 ... 7, модуль оперативного запоминающего устройства, двоичный разряд 8 ... 15, модуль ЭСППЗУ. · Сигнал CS должен гарантировать, что при двоичных разрядах 0 ... 7 активирован модуль ОЗУ, а при двоичных разрядах 8 ... 15 - модуль ЭСППЗУ. · Определите соответствующее содержание памяти, если двоичный разряд «0» соответствует накопленному значению адреса «0» и так далее (зеленый светодиодный индикатор 1 = самому низкому по значению биту). Занесите данные в таблицу 11.2.3.2 (страница 138). · Указание: Модуль запоминающего устройства имеет, соответственно, только три входа. Двоичные значения 0 … 15 представлены 4-битным адресом. Не используемый для адресных входов модуля ЗУ бит A3 должен использоваться при выборе, какой модуль должен быть активирован. · В следующей блок-схеме (рисунок 11.2.3.1) обозначьте положение модулей памяти (ОЗУ, ЭСППЗУ). · Согласно рисунку 1.2.2.1 на странице 134 создайте схему для программирования модулей запоминающий устройств с помощью Digital Trainingssystem. Оперативное записывающее устройство и ЭСППЗУ при программировании должны иметь разные адресные шины (2 клавиатуры ввода данных). · Проведите ввод данных в соответствии с установленными в таблице 11.2.3.2 данными (сохранить двоичный разряд 8 … 15 на адрес 0 … 7 ЭСППЗУ) · Указание: В дальнейшем ходе работы питающее напряжение не выключайте, иначе данные будут удалены. Не отделяйте модуль оперативного записывающего устройства от Digital Trainingssystem. · Для управления светодиодами модули запоминающих устройств активируются попеременно, в зависимости от того, какой двоичный разряд светового образца должен быть выведен.
· Дополните в следующей схеме (рисунок 11.2.3.2) управление адресными входами модуля памяти с помощью счетчика. · Соедините управляющий вход CS со схемой «И» четвертого счетного входа таким образом, чтобы модули запоминающих устройств были активированы в нужное время. · Создайте схему, представленную на рисунке 11.2.3.2 с помощью Digital Trainingssystem. · Синхронизируйте счетчик путем приведения в действие невибрирующего переключателя Q. Проследите за адресным значением и показаниями с помощью светодиодов. Проверьте содержимое памяти на соответствие с данными из таблицы 11.2.3.1 · Замените отдельный такт тактовой частотой в 10 Гц.
Таблица 11.2.3.2
Рисунок 11.2.3.2
12. ©2015 arhivinfo.ru Все права принадлежат авторам размещенных материалов.
|