Главная | Обратная связь

Запираемые тиристоры с полевым управлением

Они коммутируют цепь тока импульсами напряжения (а не тока).

 

Схема запираемого тиристора Характеристика запираемого тиристора

с полевым управлением с полевым управлением

 

 

Классификационная схема и определение параметров

Тиристора

Как и для диода, все параметры тиристора даны для схемы выпрямления однофазной, однополупериодной.

При отсутствии управляющего сигнала тиристор закрыт и к нему приложено напряжение сети. При подачи управляющего сигнала тиристор начнет проводить ток, однако этот процесс будет иметь место только при положительной полуволне питающего напряжения.

 

Среднее значение выпрямленного тока

α- угол включения., λ-угол проводимости

Действующее значение тока (I) определяется

,

Важным практическим значением является прямоугольная форма тока. Это возможно при наличии сглаживающего дросселя. При включении тиристора

происходит нарастание тока по выражению:

Ток возрастает до момента перехода напряжения через нуль. После этого момента проводящим становится диод(V₁). Процесс этот будет продолжаться до того периода тока, когда значение ток при открытом состоянии тиристора и при проводящем диоде не станет равным. При этом напряжение на дросселе будет чисто переменным.

 

α- угол включения., λ-угол проводимости.

Компоненты микроэлектроники

Интегральные микросхемы

Иинтегральная микросхема-это изделие, выполняющее определенную функцию преобразования и обработки информации, имеющая высокую плотность упаковки электрически соединенных элементов, которые могут рассматриваться как единое целое, выполнены в едином технологическом процессе и заключены герметизированный корпус.

Преимущества.

1.Высокая надежность и технологичность,

2.Малая масса и габариты,

3Малое время на разработку изделия, т.е. используются готовые блоки,

4.Снижается стоимость изделия, т.к. мало время на наладку и монтаж,

5.Упрощается организация производства, за счет уменьшения промежуточных операций и комплектующий деталей,

Необходимо отметить, что ИМС-это два резко отличающихся друг от друга класса:

Полупроводниковая ИМС. Это конструктивно полупроводниковый кристалл. На поверхности наносится окисел металла, а это значит, что можно создать выводы во внешнюю цепь.

Особенности:

1.Можно получить все полупроводниковые приборы, конденсаторы ограниченной емкости,

2.Точность невелика, однако элементы в одном кристалле практически идентичны,

3.Технология сложна и поэтому производство на больших предприятиях,

4..Затраты на выпуск велики и поэтому имеет смысл производства крупной партии (10⁴).

5.Масса и габариты малы.

Гибридные ИМС.Это пленочная технология.

Особенности

1.Основное это пассивные элементы,

2.Точность велика, ибо возможно изменять размеры пленки,

3.Технология проще, т.е. партии могут быть малы. Исполнение толстопленочное нанесение через трафарет, тонкопленочное напыление.

4.Стоимость мала,

5.Масса и габариты велики.

Полупроводниковые ИМС общего назначения. Гибридные ИМС частного назначения.

Число компонентов – это степень интеграции N. Большая ИМС – 10³.

Наиболее перспективными являются программируемые ИМС, ибо изъян в схеме не к гибели ИМС