Малосигнальные параметры БТ (h-параметры).
Параметры транзистора делятся на собственные (первичные) и вторичные. Собственные параметры характеризуют свойства транзистора, не зависимо от схемы его включения. В качестве основных собственных параметров принимают: · коэффициент усиления по току α; · сопротивления эмиттера, коллектора и базы переменному току rэ, rк, rб, которые представляют собой: · rэ — сумму сопротивлений эмиттерной области и эмиттерного перехода; · rк — сумму сопротивлений коллекторной области и коллекторного перехода; · rб — поперечное сопротивление базы. Эквивалентная схема биполярного транзистора с использованием h-параметров Вторичные параметры различны для различных схем включения транзистора и, вследствие его нелинейности, справедливы только для низких частот и малых амплитуд сигналов. Для вторичных параметров предложено несколько систем параметров и соответствующих им эквивалентных схем. Основными считаются смешанные (гибридные) параметры, обозначаемые буквой «h». Входное сопротивление — сопротивление транзистора входному переменному току при коротком замыкании на выходе. Изменение входного тока является результатом изменения входного напряжения, без влияния обратной связи от выходного напряжения. h11 = Um1/Im1 при Um2 = 0. Коэффициент обратной связи по напряжению показывает, какая доля выходного переменного напряжения передаётся на вход транзистора вследствие обратной связи в нём. Во входной цепи транзистора нет переменного тока, и изменение напряжения на входе происходит только в результате изменения выходного напряжения. h12 = Um1/Um2 при Im1 = 0. Коэффициент передачи тока (коэффициент усиления по току) показывает усиление переменного тока при нулевом сопротивлении нагрузки. Выходной ток зависит только от входного тока без влияния выходного напряжения. h21 = Im2/Im1 при Um2 = 0. Выходная проводимость — внутренняя проводимость для переменного тока между выходными зажимами. Выходной ток изменяется под влиянием выходного напряжения. h22 = Im2/Um2 при Im1 = 0. Зависимость между переменными токами и напряжениями транзистора выражается уравнениями: Um1 = h11Im1 + h12Um2; Im2 = h21Im1 + h22Um2. В зависимости от схемы включения транзистора к цифровым индексам h-параметров добавляются буквы: «э» — для схемы ОЭ, «б» — для схемы ОБ, «к» — для схемы ОК. Для схемы ОЭ: Im1 = Imб, Im2 = Imк, Um1 = Umб-э, Um2 = Umк-э. Например, для данной схемы: h21э = Imк/Imб = β. Для схемы ОБ: Im1 = Imэ, Im2 = Imк, Um1 = Umэ-б, Um2 = Umк-б. Собственные параметры транзистора связаны с h-параметрами, например для схемы ОЭ:
©2015 arhivinfo.ru Все права принадлежат авторам размещенных материалов.
|