ТРИЗ-задание 40. Термочувствительные устройства
27. ТВЁРДЫЕ ТЕЛА. Симметрия кристаллов. Дефекты в кристаллах Под симметрией тела понимается его способность совмещаться с самим собой при определенных преобразованиях. К преобразованиям симметрии относятся:
3. Зеркальное отражение в плоскости. Плоскость называется плоскостью симметрии. 4. Инверсия, или отражение в точке. Точка называется центром симметрии. 5. Комбинация этих преобразований. Например, если тело совмещается с самим собой при повороте на угол 2p/n и отражении в плоскости, перпендикулярной этой оси, то ось называется зеркально-поворотной осью n-го порядка (рис. 80).
В зависимости от характера сил взаимодействия между частицами кристаллической решетки различают 4 типа кристаллов: 1. Ионные кристаллы. В узлах решетки – ионы различных знаков, кулоновское (электростатическое) притяжение между которыми создает «ионную» связь (NaCl, CaCl, KBr, MgO, CaO). 2. Атомные кристаллы. В узлах – нейтральные атомы. Химическая связь – ковалентная (алмаз, германий, кремний, ZnS). 3. Металлические кристаллы. В узлах решетки – положительные ионы металла. Свободные электроны образуют «электронный газ», принадлежащий всему кристаллу (Cu, Ag, Pt, Au). 4. Молекулярные кристаллы (парафин, Br2, I2, в твердом состоянии N2, O2, СО2, Н2О) состоят из нейтральных молекул, силы взаимодействия между которыми обусловлены незначительным взаимным смещением электронов в электронных оболочках атомов (молекулярными электрическими диполями). Эти силы называются ван-дер-ваальсовыми, так как они имеют ту же природу, что и силы притяжения между молекулами, приводящими к отклонению газов от идеальности. Дефектами кристалла называются всякие отклонения от строгой периодичности идеальной кристаллической решетки. Дефекты бывают макроскопическими (трещины, макроскопические пустоты и включения) и микроскопическими. Микроскопические дефекты бывают точечными и линейными.
Линейные дефекты (или дислокации) нарушают дальнийпорядок. Краевая дислокация – это лишняя кристаллическая полуплоскость, вдвинутая между соседними слоями атомов (рис. 82 а). Винтовая дислокация образуется в результате скольжения двух атомных полуплоскостей на один период друг относительно друга, начиная с некоторой линии (рис. 82 б). Кристалл с винтовой дислокацией фактически состоит из одной кристаллической плоскости, которая изогнута по винтовой поверхности (наподобие винтовой лестницы). ©2015 arhivinfo.ru Все права принадлежат авторам размещенных материалов.
|