Задания для самостоятельного решения

66)К проводникам относятся кристаллы, у которых при абсолютном нуле температур 1) над целиком заполненной валентной зоной располагается пустая зона проводимости; 2) над целиком заполненной валентной зоной располагается частично заполненная зона проводимости; 3) над частично заполненной валентной зоной располагается частично заполненная зона проводимости; 4) над частично заполненной валентной зоной располагается целиком заполненная зона проводимости.

67)Ширина запрещенной зоны типичного собственного полупроводника имеет порядок 1) 10^-² Дж; 2) 1 Дж; 3) 10^-² эВ; 4) 1 эВ.

68) Разрешенная зона – это совокупность близких друг к другу энергетических уровней, «расстояние» между которыми 1) много больше значений уровней энергии уровней; 2) примерно равно энергии уровней; 3) много меньше значений энергии уровней; 4) варьируется в широком диапазоне в зависимости от температуры.

69) Ширина запрещенной зоны – это разность значений 1) максимальной допустимой энергии разрешенной зоны, расположенной выше запрещенной, и минимальной допустимой энергии разрешенной зоны, расположенной ниже; 2) минимальной допустимой энергии разрешенной зоны, расположенной выше запрещенной, и максимальной допустимой энергии разрешенной зоны, расположенной ниже; 3) максимальной допустимой энергии разрешенной зоны, расположенной ниже запрещенной, и минимальной допустимой энергии разрешенной зоны, расположенной выше; 4) минимальной допустимой энергии разрешенной зоны, расположенной ниже запрещенной, и максимальной допустимой энергии разрешенной зоны, расположенной выше.

70) Материалы, у которых ширина запрещенной зоны больше или равна 3 эВ, являются 1) диэлектриками; 2) полупроводниками; 3) проводниками; 4) металлами.

71) Материалы, у которых ширина запрещенной зоны меньше 3 эВ, считаются 1) диэлектриками; 2) полупроводниками; 3) проводниками; 4) металлами.

72) Если ширина запрещенной зоны очень мала или равна нулю, то крис-талл является 1) диэлектриком; 2) полупроводником; 3) проводником; 4) абсолютно твердым телом.

73) Верхняя целиком заполненная разрешенная зона называется 1) валентной зоной; 2) зоной проводимости; 3) запрещенной зоной; 4) перекрытой зоной.

74) Разрешенная зона, расположенная непосредственно над верхней целиком заполненной разрешенной зоной, называется 1) валентной зоной; 2) зоной проводимости; 3) металлической зоной; 4) перекрытой зоной.

75) При повышении температуры удельное сопротивление металлов 1) уменьшается; 2) увеличивается; 3) изменяется различным образом в зависимос-ти от интервала температур; 4) не меняется.

76)Какими носителями электрического заряда создается ток в металлах? 1) Электронами; 2) электронами и дырками; 3) электронами и фононами; 4) электронами и ионами.

77)Какими носителями электрического заряда создается ток в полупроводниках? 1) Электронами; 2) электронами и дырками; 3) электронами и фононами; 4) электронами и ионами.

78) Какой из графиков, представленных на рис. 16, правильно отражает зависимость удельного сопротивления ρ металлов, обладающих сверхпроводящим состоянием, от температуры T?

1) 2) 3) 4)

79) В чем заключается явление сверхпроводимости? 1) В отсутствии тока в проводнике при низкой температуре; 2) в нагревании проводника при прохождении по нему тока; 3) в охлаждении проводника при помещении его в магнитное поле; 4) в отсутствии сопротивления.

80)Какой проводимостью обладают собственные полупроводники? 1) В основном электронной; 2) в основном дырочной; 3) в равной степени электронной и дырочной; 4) проводимость собственных полупроводников равна нулю.

81)Какой проводимостью обладают полупроводники с донорными примесями? 1) В основном электронной; 2) в основном дырочной; 3) в равной степени электронной и дырочной; 4) в основном ионной.

82)Какой проводимостью обладают полупроводники с акцепторными примесями? 1) В основном электронной; 2) в основном дырочной; 3) в равной степени электронной и дырочной; 4) в основном ионной.

83) Свободные уровни в зоне проводимости обеспечивают высокую 1) теплопроводность; 2) вязкость; 3) теплоемкость; 4) электропроводность.

84) Валентность атомов донорной примеси 1) больше валентности основных атомов; 2) не равна валентности основных атомов; 3) равна валентности основных атомов; 4) меньше валентности основных атомов.

85) Валентность атомов акцепторной примеси 1) больше валентности основных атомов; 2) не равна валентности основных атомов; 3) равна валентности основных атомов; 4) меньше валентности основных атомов.

Энергетические диаграммы различных веществ при температуре 0 К представлены на рис. 17.

86)Какая из представленных диаграмм соответствует энергетической схеме собственного полупроводника? 1) б; 2) в; 3) а; 4) г.

87) Какая из представленных диаграмм соответствует энергетической схеме донорного полупроводника? 1) а; 2) г; 3) в. 4) б.

88) Какая из представленных диаграмм соответствует энергетической схеме акцепторного полупроводника? 1) а; 2) в; 3) б; 4) г.

89) Какой из графиков, представленных на рис. 18, правильно отражает зависимость удельного сопротивления полупроводника от температуры? 1) б; 2) в; 3) а; 4) г.

90) Как концентрация свободных носителей заряда собственного полупроводника зависит от температуры? 1) 2) 3) 4)

91) Какой из представленных на рис. 19 графиков правильно отражает зависимость концентрации свободных носителей заряда собственного полупроводника от температуры? 1) а; 2) б; 3) в; 4) г.

а б в г

92) Какой из представленных на рис. 20 графиков правильно отражает зависимость концентрации основных носителей заряда донорного полупроводника от температуры? 1) а; 2) б; 3) в; 4) г.

93) В кристалле германия с примесью в виде атомов индия при комнатной температуре наблюдается проводимость 1) собственная; 2) несобственная; 3) дырочная; 4) электронная.

94) При уменьшении температуры сопротивление полупроводника 1) уменьшается; 2) не изменяется; 3) возрастает; 4) может возрастать, уменьшаться или оставаться постоянным в зависимости от полупроводника.

95) В кристалле кремния с примесью в виде атомов фосфора при комнатной температуре наблюдается проводимость 1) собственная; 2) несобственная; 3) дырочная; 4) электронная.

96)Действие терморезисторов основано на зависимости: 1) сопротивления полупроводника от температуры; 2) силы тока в полупроводнике от светового потока; 3) проводимости полупроводника от приложенного напряжения; 4) разности потенциалов на концах полупроводника от деформации.

97) Терморезистор изготовлен 1) из полупроводника; 2) металла; 3) диэлектрика; 4) проводника или полупроводника.

98) Фотосопротивление изготовлено 1) из полупроводника; 2) металла; 3) диэлектрика; 4) проводника или полупроводника.

99)Действие фоторезисторов основано на зависимости: 1) силы тока в полупроводнике от приложенного напряжения; 2) сопротивления полупроводника от температуры; 3) сопротивления полупроводника от интенсивности электромагнитного излучения; 4) освещенности полупроводника от разности потенциалов на его концах.

100)Какой из представленных на рис. 21 графиков правильно изображает вольт-амперную характеристику фоторезистора? 1) а; 2) б; 3) в; 4) г.

101)Какой из представленных на рис. 22 графиков является световой характеристикой фоторезистора? 1) а; 2) б; 3) в; 4) г.

102) Закон Дюлонга – Пти имеет вид: 1) ψ(х₁, х₂) = ± ψ(х₂, х₁); 2) 3) ; 4) .

103) Закон кубов Дебая имеет вид: 1) ; 2) ; 3) 4)

104) Какой из графиков, представленных на рис. 23, правильно отражает зависимость молярной теплоемкости железа от температуры?

1) 2) 3) 4)

105) Фононы – это 1) кванты поля упругости кристаллической решетки; 2) микрочастицы, движущиеся со скоростью света; 3) микрочастицы, движущиеся в вакууме со скоростью звука; 4) кванты электромагнитного поля.

106) Фононы движутся 1) в аморфном теле со скоростью фона; 2) в вакууме со скоростью света; 3) в жидкости со скоростью частицы; 4) в кристалле со скоростью звука.

107) Фонон 1) существует только в данном твердом теле; 2) может переходить из одного твердого тела в другое; 3) существует только в разреженном газе; 4) может переходить из разреженного газа в вакуум.

108)Характеристическая температура Дебая указывает для каждого вещества 1) верхнюю границу области температур, в которой существенны квантовые эффекты; 2) нижнюю границу области температур, в которой существенны квантовые эффекты; 3) верхнюю границу области температур, в которой энергия фононов максимальна; 4) верхнюю границу области температур, в которой энергия фононов минимальна.

109) Температура Дебая – это температура, при которой 1) в кристалле возбуждаются колебания всех возможных частот; 2) плазма становится полностью ионизированной; 3) электронный газ в металле становится невырожденным; 4) в абсолютно черном теле появляются фотоны с максимальной возможной энергией.

110) Частота Дебая – это 1) максимальная частота нормальных колебаний в кристалле; 2) минимальная частота нормальных колебаний в кристалле; 3) средняя частота нормальных колебаний в кристалле; 4) частота, при которой нормальные колебания в кристалле не возникают.

111)Основным свойством p-n-перехода является 1) уменьшение сопротивления при освещении; 2) плавление при нагревании; 3) односторонняя проводимость; 4) возникновение ЭДС.

112)Силу прямого тока через полупроводниковый диод можно рассчитать по формуле: 1) 2) ; 3) 4)

113)Какой из представленных на рис. 24 графиков правильно изображает вольт-амперную характеристику полупроводникового диода? 1) а; 2) б; 3) в; 4) г.

114) Какая из представленных на рис. 25 схем соответствует прямому включению р-п-перехода? 1) б; 2) в; 3) г; 4) а.

115)Какая из представленных на рис. 25 схем соответствует обратному включению р-п-перехода? 1) г; 2) б; 3) в; 4) а.

116) Какая из представленных на рис. 26 энергетических схем соответствует прямому включению р-п-перехода? 1) а; 2) б; 3) в; 4) г.

117)Какая из представленных на рис. 24 энергетических схем соответствует обратному включению р-п-перехода? 1) а; 2) б; 3) в; 4) г.

118) p-n-переход – это 1) контакт двух проводников, легированных донорной и акцепторной примесями; 2) контакт двух полупроводников, легированных донорной и акцепторной примесями; 3) переход электрона из валентной зоны в зону проводимости; 4) переход электрона из зоны проводимости в валентную зону.

119) При увеличении прямого напряжения, подаваемого на p-n-переход, сила тока, протекающего через переход 1) снижается; 2) увеличивается; 3) не изменяется; 4) может снижаться, а может увеличиваться в зависимости от полупроводников, из которых изготовлен переход.

120) При увеличении прямого напряжения, подаваемого на p-n-переход, сопротивление перехода 1) снижается; 2) увеличивается; 3) не изменяется; 4) может снижаться, а может увеличиваться в зависимости от полупроводников, из которых изготовлен переход.

121) При увеличении обратного напряжения, подаваемого на p-n-пере-ход, сила тока, протекающего через переход, 1) снижается; 2) увеличивается; 3) не изменяется; 4) может снижаться, а может увеличиваться в зависимости от полупроводников, из которых изготовлен переход.

122) При увеличении обратного напряжения, подаваемого на p-n-пере-ход, сопротивление перехода 1) снижается; 2) увеличивается; 3) не изменяется; 4) может снижаться, а может увеличиваться в зависимости от полупроводников, из которых изготовлен переход.

123) Транзистор состоит 1) из базы, источника, коллектора; 2) источника, коллектора, электродов; 3) коллектора, электродов, эмиттера; 4) базы, коллектора, эмиттера.

124)Работа термопары основана 1) на возникновении в электрической цепи ЭДС, если контакты проводников находятся при разных значениях температуры; 2) нагревании приконтактной области проводников, если полупроводники находятся при разных значениях температуры; 3) неравномерном нагревании p-n-перехода, если по нему пропустить ток в двух противоположных направлениях; 4) различной скорости охлаждения на отрицательной и положительной клеммах проводника, если приложить к проводнику переменное напряжение.

125) Явление Зеебека – это 1) появление разности температур в области контакта двух металлических проводников при прохождении электрического тока по замкнутой цепи, образованной этими проводниками; 2) возникновение термоЭДС в замкнутой цепи при нагревании металлического проводника; 3) возникновение электрического тока в замкнутой цепи, образованной металлическими проводниками, имеющими разные значения температуры; 4) появление разности температур в области контакта двух металлических проводников при их нагревании.

126) Явление Пельтье – это 1) возникновение или исчезновение термоЭДС при нагревании области контакта двух различных проводников; 2) выделение или поглощение теплоты в проводнике при прохождении по нему электрического тока; 3) возникновение или исчезновение электрического тока в цепи, состоящей из двух разных проводников, имеющих разные значения температуры; 4) выделение или поглощение дополнительной теплоты при прохождении электрического тока через контакт двух разных проводников.

127) Явление Томсона – это выделение или поглощение дополнительной теплоты при прохождении электрического тока 1) по неравномерно нагретому проводнику; 2) через контакт двух различных проводников; 3) через контакт различных полупроводников; 4) по неравномерно нагретому полупроводнику.

Библиографический список

1. Трофимова Т. И. Курс физики / Т. И. Трофимова. М., 2001. 542 с.

2. Детлаф А. А. Курс физики / А. А. Детлаф, Б. М. Яворский. М., 2003. 607 с.

3. Гончар И. И. Элементы статистической физики: классические и квантовые распределения. Задачи / И. И. Гончар, С. Н. Крохин, Г. Б. То-дер/ Омский гос. ун-т путей сообщения. Омск, 2007. 39 с.

4. Чертов А. Г. Задачник по физике / А. Г. Чертов, А. А. Воробьев. М., 1997. 544 с.

5. Трофимова Т. И. 500 основных законов и формул. Справочник / Т. И. Трофимова. М., 2003. 63 с.

ПРИЛОЖЕНИЕ

Ответы к заданиям для самостоятельного решения

Номер ответа к задаче


Номер ответа к задаче


Номер ответа к задаче


Номер ответа к задаче


Номер ответа к задаче


Номер ответа к задаче


Номер ответа к задаче


Номер ответа к задаче


Номер ответа к задаче


Номер ответа к задаче


Номер ответа к задаче


Номер ответа к задаче


Номер ответа к задаче

Учебное издание

Аронова Тамара Алексеевна,

сердюк Ольга Ивановна,

ТОДЕР Георгий Борисович

Методические указания для подготовки

студентов к тестированию по разделам физики

«Статистическая физика» и «Физика твердого тела»

_____________________________________

Редактор Н. А. Майорова

* * *

Подписано в печать 25.06.2013. Формат 60´84 ¹/₁₆.

Офсетная печать. Бумага офсетная. Усл. печ. л. 2,4. Уч.-изд. л. 2,7.

Тираж 1000 экз. Заказ .

* *

Редакционно-издательский отдел ОмГУПСа

Типография ОмГУПСа

644046, г. Омск, пр. Маркса, 35

⇐ Предыдущая 1 2 3 4 5 67