Порядок выполнения работы⇐ ПредыдущаяСтр 43 из 43
Задание 1. Снятие вольтамперной характеристики (ВАХ) p-n–перехода. 1. Ознакомиться с установкой. 2. Включить установку в сеть. Сетевой тумблер находится на задней панели. 3. Переключателем на устройстве 1 (рис.18.3) установить исследуемый диод (по заданию преподавателя). 4. Переключателем КН2 выбрать режим работы «ВАХ». 5. Переключателем КН1 выбрать режим снятия прямой характеристики. 6. Кнопками «+» и «–» установить требуемую величину напряжения (см. табл.18.1). 7. Записать в табл.18.1 соответствующую силу тока.
Таблица 18.1
8. Устанавливая требуемые значения напряжения кнопками «+» и «–», записывать соответствующие значения силы тока. 9. Нажатием кнопки КН3 установить нулевое напряжение. 10. Переключателем КН1 выбрать режим снятия обратной характеристики. 11. Повторить измерения по пунктам 6÷9, данные записывать в табл.18.2. 12. Построить график зависимости I=f(U) – ВАХ исследуемого диода; при этом прямые напряжение и ток считать положительными, обратные – отрицательными. Внимание! Следите за индикацией размерности на измерителе тока.
Таблица 18.2
Задание 2. Снятие вольтфарадной характеристики (ВФХ) и определение контактной разности потенциалов в p-n–переходе. 1. Переключателем на устройстве 1 (рис.18.3) установить диод КД226. 2. Переключателем КН2 выбрать режим работы «ВФХ». 3. Переключателем КН1 выбрать режим снятия прямой характеристики. 4. Кнопками «+» и «–» установить требуемую величину напряжения (см.табл.18.3). 5. Записать в табл.18.3 соответствующую ёмкость.
Таблица 18.3
6. Устанавливая требуемые значения напряжения (см. табл.18.3) кнопками «+» и «–», записывать соответствующие значения ёмкости. 7. Нажатием кнопки КН3 установить нулевое напряжение. 8. Переключателем КН1 выбрать режим снятия обратной характеристики. 9. Повторить измерения по пунктам 4÷7 задания 2, данные записывать в табл.18.3. 12. Построить график зависимости С=f(U) – ВФХ исследуемого диода; при этом прямое напряжение считать положительным, обратное – отрицательным.
Таблица 18.4
13. Выбрав любую пару значений ёмкости при прямом и при обратном включении Спр. и Собр, по формуле (18.6) вычислите контактную разность потенциалов Uк. При подстановке соответствующих значений Uпр. и Uобр. помните, что в формуле (18.6) используется модуль обратного напряжения. 14. Повторите вычисления Uк ещё с четырьмя парами значений ёмкостей Спр. и Собр. 15. Определите среднее значение Uк и оцените его погрешность ΔUк. 16. Все данные запишите в табл.18.4. 17. Сделайте выводы. Контрольные вопросы 1. Объясните формирование энергетических зон в полупроводнике. 2. Объясните различие между металлами, диэлектриками и полупроводниками с точки зрения структуры энергетических зон. 3. Что такое собственный полупроводник? Как возникает проводимость в собственном полупроводнике? Почему с ростом температуры проводимость полупроводника возрастает? 4. Что такое примесный полупроводник? Объясните механизм проводимости в донорном (n–типа) и акцепторном (р–типа) полупроводнике. 5. Что такое p-n–переход? Объясните природу образования объёмного заряда. 6. Объясните физические процессы, происходящие в p-n–переходе. Что происходит при прямом и обратном включении? 7. Запишите и объясните формулу ВАХ для прямого направления тока. 8. Как Вы понимаете «прямое» и «обратное» направление тока? 9. Применение p-n–перехода в технике.
Используемая литература [1] §§ 44.3, 44.4; [2] § 40.6; [3] § 4.54; [6] §§ 42, 43, 45; [7] §§ 249, 250.
©2015 arhivinfo.ru Все права принадлежат авторам размещенных материалов.
|