 |
|
Частотные зависимости параллельного контура
| |
Если действует гармонический ток на контур, то при значении I(m)=const действующее напряжение на контуре и амплитудное будет повторять зависимостьвеличины Z от w
.
П=ω2 – ω1 (f2 – f1)Здесь полоса пропускания определяется по уровню 0,707 от максимального значения напряжения на контуре и обобщенная расстройка на границах равна +,- 1.
При резонансе (x=0) Х=0. Зависимость Х от x показана ниже . Параллельный колебательный контур на частоте ниже резонансной (x<0) ведет себя как некоторая индуктивность (Х>0), на частоте выше резонансной (x>0) – некоторая емкость (Х<0).
Здесь 
, R=Re(Z),
X=Im(Z).
Схема исследования параллельного контура в EWB-5
Здесь показан источник напряжения (идеальный), его сопротивление Ri, вольтметр V. который надо настроить на измерение переменного напряжения и установить большое внутреннее сопротивление ( 1000 Мом) для большей точности. Так же здесь включены идеальные емкость С и индуктивность L и резистор, имитирующий сопротивление катушки (Rk).
|
Расчетные графики частотных зависимостей напряжения
на параллельном контуре при разных Ri
Влияние внешних сопротивлений
На избирательность контура
(Добротность, полоса пропускания, коэффициент подавления)
Внешним сопротивлением является сопротивление источника и нагрузки.
Определим эквивалентную добротность с учетом сопротивления источника
,
где r - характеристическое сопротивление контура,
Q - исходная добротность.( RP / r)
Аналогично с нагрузкой. вместо RИ подставляем RН , т.е.
А если необходимо учесть и то и другое, то получаем формулу
Полоса пропускания относительная находится по формуле:
Величина обратная коэффициенту подавления помехи равна:
Коэффициент подавления помехи КПЭ ≈ xЭ